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Si-Ti在＞650℃發生反應生成Ti5Si3，Ti5Si3熱穩定性差，在＞1100℃時發生回溶。根據Ti-Si相圖，室溫時Si的固溶度極低，＞1000℃時Si在β-Ti中固溶度>2%，Si元素易擴散至Ti基體中。EBSD及EPMA結果顯示Ti5Si3主要分布在基體中，表明絕大部分Si在燒結升溫、保溫過程中擴散固溶至Ti基體中，隨后降溫冷卻時固溶度降低析出Ti5Si3。
Si-Ti在＞650℃發生反應生成Ti5Si3，Ti5Si3熱穩定性差，在＞1100℃時發生回溶。根據Ti-Si相圖，室溫時Si的固溶度極低，＞1000℃時Si在β-Ti中固溶度>2%，Si元素易擴散至Ti基體中。EBSD及EPMA結果顯示Ti5Si3主要分布在基體中，表明絕大部分Si在燒結升溫、保溫過程中擴散固溶至Ti基體中，隨后降溫冷卻時固溶度降低析出Ti5Si3。 收起+
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