本發明公開了一種改善多晶黑硅太陽電池晶向間差異的工藝方法,此方法通過控制黑硅工藝中對硅片進行堿拋光處理的堿性溶液的濃度、溫度及反應副產物的積累量來控制硅片在此溶液中的反應程度,達到降低多晶硅片各晶向間絨面差異的目的,所制得的硅片在經PECVD沉積氮化硅后表面具有常規多晶電池的顏色一致性。所述工藝方法由下列步驟組成:第一步:堿拋光;第二步:正常濕法黑硅制絨。此方法的堿拋光槽體可以定量補加化學品、水,可以定量排放溶液;此方法通過控制堿性溶液的濃度、溫度及反應副產物的積累量解決黑硅電池各晶向差異大的問題。此方法工藝簡單,效果明顯,SEM測量堿拋光后的各晶向絨面大小,對比常規工藝標準偏差明顯降低,且制得的電池的表面顏色一致。
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