上海奕縱精密儀器有限公司YZC-400T金屬管道鋼板超聲測厚儀是一款專為工業(yè)領域設計的高精度無損檢測設備,采用超聲波脈沖反射技術,可快速、精準測量金屬管道、鋼板及壓力容器的壁厚。該儀器適用于高溫、高壓、強腐蝕等惡劣環(huán)境下的厚度檢測,廣泛應用于石油化工、船舶制造、電力能源及機械加工行業(yè),助力企業(yè)實現(xiàn)設備安全監(jiān)控與質量管控。
上海奕縱精密儀器有限公司YZJ-300D微電腦多功能電解測厚儀是一款集高精度、智能化與多功能于一體的金屬涂層厚度檢測設備。
艾格斯威(上海)檢測設備有限公司推出的全自動觸摸屏數(shù)顯洛氏硬度計AGHRS-150M,是一款集高精度測量與智能化操作于一體的工業(yè)硬度檢測設備。
這是一款科學級開爾文探針,用于精確測量半導體和導電材料的功函數(shù),分辨率達到0.1 meV。它采用非接觸式振蕩電容測量方法,參考金的功函數(shù)(5.1 eV),適用于研究腐蝕、吸附/解吸、表面充電、催化活性等表面特性。系統(tǒng)配備激光筆、數(shù)碼顯微鏡和電動垂直定位系統(tǒng),精度為10微米,還可選裝X-Y定位功能。結合寬帶光導和高壓氙弧燈,可實現(xiàn)表面光電壓光譜測量,光電壓分辨率優(yōu)于5 mV(長集成時間為0.1 mV),適用于研究光催化劑、太陽能電池等光活性材料。
掃描開爾文探針是一種高精度的表面電學特性測量儀器,能夠測量樣品表面的接觸電位差(CPD)、功函數(shù)、費米能級位置、表面電位、表面吸附對功函數(shù)的影響等參數(shù)。它配備光源和激光屏障系統(tǒng),可實現(xiàn)高精度的距離檢測和樣品表面照明,適用于多種材料(包括半導體、電介質)的表面分析。儀器包括控制器單元、探針尖端、法拉第籠、電動XY工作臺等組件,探針尖端采用2.5mm直徑的Au網(wǎng)設計,提供高信噪比。法拉第籠可保護儀器免受環(huán)境干擾,還可選擇氣密版本以適應敏感測量需求。
半球型電子能量分析譜是一款高性能的電子能譜分析設備,具備120mm半徑的大型高透射半球形分析器和全程180度反轉角度,采用Jost電極進行邊緣校正,配備全磁屏蔽和金屬襯里真空外殼,確保高精度和穩(wěn)定性。設備支持電腦控制電源、多個光學透鏡和6個可選入口狹縫,提供單通道或多通道檢測器選擇,多通道檢測器還可配備高分辨出口狹縫。搭配SPECTRA V8軟件,用于高效的數(shù)據(jù)采集和處理,廣泛應用于材料表面電子結構和化學狀態(tài)的分析。
磁控濺射靶源是一種專為超高真空系統(tǒng)(1e-11 Torr)設計的商業(yè)用濺射源,能夠在不配置彈性墊圈的結構中烘烤至250℃,實現(xiàn)超高純度的濺射沉積。它適用于金屬、電介質和復合物的沉積。設備提供多種靶材尺寸(如1英寸、2英寸、3英寸等),靶材厚度最低可達4mm,有效節(jié)約靶材。濺射源法蘭帶有氣體管道,提升濺射操作時的真空度。支持手動或馬達驅動擋板,可原位傾斜(±30°),配備氣體流量控制,支持全自動化進程,冷卻水流量低(僅0.5L/min),占用空間小,適合高真空環(huán)境使用。
合金納米顆粒UHV沉積源是納米顆粒沉積源,可在超高真空中將純納米顆粒和合金納米顆粒沉積到樣品上,從而形成功能性涂層。此外,我們可以通過精確控制納米顆粒的大小、組成和結構來定制納米顆粒涂層的性能。此外,還提供以下源:單個 1英寸源(NL-D1)、一個 2 英寸源 (NL-D2) 或三個 1 英寸源(NL-D3)。最后,我們可以將這些源集成到您現(xiàn)有的 PVD 系統(tǒng)中,或將它們集成到我們定制的 真空系統(tǒng)中。
電子束蒸發(fā)源是一種高效的蒸發(fā)設備,特別適用于難以通過常規(guī)熱蒸發(fā)技術蒸發(fā)的材料。它通過高能電子束直接加熱靶材,能夠快速升溫且無本質溫度限制,相比傳統(tǒng)加熱方式具有顯著優(yōu)勢。該設備由高質量、高真空兼容材料制成,可承受250℃的烘烤溫度。
多高度探針用于測量各種材料和樣品尺寸。由25厘米寬、29厘米深、0.8厘米厚的硬質陽極氧化鋁底座組成。一根直徑為19mm、高度為20cm的不銹鋼柱(用螺絲固定在底座上)支撐探頭的升降機構,包括垂直滑動、操作桿軸和微型開關。垂直滑動帶著探頭,由夾緊螺釘固定。探針頭的位置應確保在探針接觸之前,微動開關不會通過電流。丟失動作確保在探頭升起之前切斷電流。探針臂可以很容易地定位在垂直軸上的不同高度,以允許對扁平材料或大或厚材料進行探測。
俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統(tǒng)是一種用于薄膜及合金表面深度分析的設備,結合了俄歇電子能譜(AES)、低能電子衍射(LEED)和氬離子濺射深度分析技術。它能夠實現(xiàn)對薄膜和合金的元素組成、原子結構和深度分布的“亞納米級”精度分析,適用于大范圍樣品的半自動化操作。系統(tǒng)配備延遲型區(qū)域分析器、雙靜電透鏡電子槍、磁場內電子沖擊離子源、線型磁動樣品傳輸臂和超高真空腔體等組件,支持樣品預抽真空室(load-lock腔室),具備高精度和高真空度的特點,可用于多種材料的表面分析。
單點開爾文探針是一種高精度、非接觸、非破壞性的振動電容裝置,專門用于測量導電材料的功函或半導體材料表面的表面電勢和表面功函。這種技術對材料表面最頂部的1-3層原子或分子非常敏感,因此是一種極其靈敏的表面分析方法。KP Technology公司提供的單點開爾文探針系統(tǒng)具有業(yè)界最高的分辨率,功函分辨率小于3meV,支持手動高度調節(jié)。它廣泛應用于有機和非有機半導體、金屬、薄膜、太陽能電池、有機光伏材料以及腐蝕研究等領域。
表面光電壓譜系統(tǒng)為深入研究光敏感材料(例如有機半導體,太陽能電池或者光敏染料)提供一種完美的一體化解決方案。
球磨測厚儀是一種用于快速測量硬涂層(鍍層)厚度的儀器,適用于PVD、CVD、磁控濺射、離子鍍、蒸發(fā)、陽極氧化、電鍍和化學涂層等多種涂層類型。其控制單元配備可編程微處理器,可調節(jié)速度、時間、球型和X、Y直徑,支持自動厚度校準。顯微鏡放大倍數(shù)為100倍,配備LED光源和0.02mm刻度的目鏡。球磨速度可控,范圍為200-1000轉/分鐘,球型直徑有10-30mm可選,工作時間范圍為1-30分鐘。測量精度受表面粗糙度、涂層對比度和顯微鏡性能影響,測試范圍內精度為5%,鍍層厚度低于1微米時精度為10%。
Q-One型納米級離子注入系統(tǒng)是一種先進的半導體制造設備,專為量子器件和先進材料工程設計。它能夠以納米級精度實現(xiàn)單離子的精確定位和注入,具備20納米的聚焦離子束和1納米的光學編碼器壓電驅動級,確保極高的離子放置精度。Q-One支持多種元素的注入,包括液態(tài)金屬離子源和雙等離子體源,可實現(xiàn)氧和氮的摻雜。其高分辨率電子柱提供4nm的詳細成像,用于現(xiàn)場驗證和過程控制。該系統(tǒng)不僅速度快、可擴展性強,還能在短時間內生成數(shù)百萬個精確定位的原子陣列,廣泛應用于單離子注入、量子器件制造、納米材料工程、光子系統(tǒng)和存儲設備等領域。
無支架導軌模塊的輪廓儀是專為高精度磨損速率測量而設計的半導體測試設備。它通過精確測量涂層或基底材料的磨耗情況,為選擇最佳材料提供可靠數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)帶支架的輪廓儀相比,無支架導軌模塊能夠避免因摩擦表面測量不準確而導致的誤差(傳統(tǒng)設備測量結果可能高達實際值的3倍),從而確保測試結果的高精度和可靠性。該設備具備高分辨率(Z方向7.55nm),能夠在磨損不充分時繼續(xù)在同一軌道測試,無需移動樣品,顯著提升了測試效率和準確性,是半導體材料磨損測試的理想選擇。
真空摩擦學系統(tǒng)是一種用于研究超高真空或大氣環(huán)境下兩個表面之間摩擦性質的設備。它適用于1到10N的負載范圍,能夠測量0.001到2的摩擦系數(shù),并具備負載的閉環(huán)控制功能。系統(tǒng)配備2軸操縱器(帶加熱)用于摩擦球夾具,以及1軸操縱器(帶加熱和冷卻)用于平面樣品夾具。其壓力范圍從10?? mbar到1bar,可在氧氣、氫氣、水蒸氣和簡單碳氫化合物等氣氛中使用。該系統(tǒng)采用模塊化設計,可連接多種沉積模塊(如MBE、PLD、濺射)和分析模塊(如XPS、UPS、ARPES、IR等),并擁有專利號FR 15 55388,專利名稱為“用于測量摩擦力的高精度裝置”。
檢查裝置配備有紅外光源和準直器光學器件,該準直器光學器件用具有均勻強度的光束照射晶片。紅外感應攝像頭通過USB接口在您的計算機上顯示被檢查基板的圖像。相機的視野和放大倍數(shù)可以手動調整。
紅外光晶片檢測顯微鏡 硅對紅外光是透明的。我們的紅外光晶片檢測顯微鏡從背面照亮硅基板,并捕獲滲透到基板中的光。因此,可以檢查硅基板內部的現(xiàn)象,這些現(xiàn)象在傳統(tǒng)顯微鏡下是不可見的。 顯微鏡配備了一個長工作距離物鏡。三步變焦允許用戶選擇正確的視野和放大倍數(shù)。紅外感應攝像頭通過USB在您的計算機上顯示被檢查設備的圖像。5倍物鏡的分辨率優(yōu)于3μm。 此外,還提供頂部照明。這允許在傳統(tǒng)模式下使用顯微鏡并檢查晶片的頂面。 紅外顯微鏡配備了一個xy工作臺,可容納8英寸或更小的晶片。該工作臺由電機驅動,可以用操縱桿控制。
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