權(quán)利要求書: 1.一種鈣鈦礦材料的提純裝置,其特征在于,所述鈣鈦礦材料的提純裝置包括進料區(qū)、籽晶區(qū)、加熱單元、分段溫控晶體生長區(qū)和晶體收集區(qū);
所述進料區(qū)與所述籽晶區(qū)連接,用于向所述籽晶區(qū)中加入鈣鈦礦材料的溶液;
所述加熱單元用于加熱所述籽晶區(qū)中的所述鈣鈦礦材料的溶液;
所述分段溫控晶體生長區(qū)包括料液輸運動力部件和輸送管道;所述料液輸運動力部件設置在所述輸送管道的內(nèi)部;所述輸送管道的一端位于所述籽晶區(qū)內(nèi),另一端與所述晶體收集區(qū)連接;
所述輸送管道沿鈣鈦礦材料的溶液流動方向依次包括料液輸運動力部件、第一加熱元件、第二加熱元件和第三加熱元件;所述輸送管道用于流通并加熱從所述籽晶區(qū)輸入的鈣鈦礦材料的溶液。
2.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦材料的提純裝置,其特征在于,所述料液輸運動力部件為輸送帶、螺旋槳、自吸泵和離心泵中的任意一種。
3.如權(quán)利要求2所述的鈣鈦礦材料的提純裝置,其特征在于,所述輸送帶的表面具有條狀凸起結(jié)構(gòu);所述條狀凸起結(jié)構(gòu)的數(shù)量為1個以上。
4.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦材料的提純裝置,其特征在于,當所述籽晶區(qū)中的所述鈣鈦礦材料的溶液體積為1L時,所述輸送管道的直徑為1~10cm。
5.如權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦材料的提純裝置,其特征在于,當所述籽晶區(qū)中的所述鈣鈦礦材料的溶液體積為1L時,所述輸送管道的直徑為5cm。
6.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦材料的提純裝置,其特征在于,所述晶體收集區(qū)包括刮刀或篩網(wǎng)。
7.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦材料的提純裝置,其特征在于,所述鈣鈦礦材料的提純裝置還包括料液循環(huán)返回區(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的鈣鈦礦材料的提純裝置,其特征在于,所述料液循環(huán)返回區(qū)的一端與所述晶體收集區(qū)連接,用于接收所述晶體收集區(qū)收集鈣鈦礦單晶材料后的剩余料液;
另一端與所述籽晶區(qū)連接,用于將所述剩余料液輸送至所述籽晶區(qū)。
說明書: 一種鈣鈦礦材料的提純裝置技術(shù)領域[0001] 本實用新型涉及一種鈣鈦礦材料的提純裝置。背景技術(shù)[0002] 鈣鈦礦材料因具備可調(diào)控的直接帶隙、高電子遷移率、高吸收系數(shù)和長載流子壽命等優(yōu)勢被廣泛應用于半導體光電器件中,例如太陽能電池、光電探測器、發(fā)光二極管、高能射線閃爍體、場效應晶體管和憶阻器等領域。相比于傳統(tǒng)的硅基半導體材料,鈣
聲明:
“鈣鈦礦材料的提純裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)