權利要求書: 1.一種四氯化硅反應器內襯層的制備方法,其特征在于,所述內襯層包括涂覆在反應器內側的內襯材料層和涂覆在所述內襯材料層表面的內襯涂層;
其中,所述內襯材料層由內襯材料經物理氣相沉積或化學氣相沉積中的一種或多種方法處理沉積在反應器內側得到;
其中,所述內襯涂層由內襯涂層前驅體制備得到,所述內襯涂層前驅體的制備包括如下步驟:S1、將液體硅酸鉀和硅溶膠混合攪拌均勻,得物料1;
S2、先將累托石干燥,隨后加入NaOH,混合均勻后進行煅燒,得改性填料;
S3、將氧化鎂、氧化鋯和步驟S2中所得改性填料加入到物料1中,混合均勻后研磨、過篩,即得內襯涂層前驅體;
其中,所述內襯材料為等質量的碳化硅和石英的混合物;
其中,所述內襯涂層由內襯涂層前驅體經噴涂或涂刷后,于20 40℃下固化12 48h制備~ ~得到;
其中,以重量份計,所述內襯涂層前驅體由以下原料制得:80 100份液體硅酸鉀、30 45~ ~份改性填料、20 35份硅溶膠、8 15份氧化鋯、2 4份氧化鎂;
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其中,步驟S2中,煅燒溫度為800℃,煅燒時間為2.5 5.5h。
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2.根據權利要求1所述的一種四氯化硅反應器內襯層的制備方法,其特征在于,所述內襯涂層的厚度為5 15μm。
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3.根據權利要求1所述的一種四氯化硅反應器內襯層的制備方法,其特征在于,步驟S1中,硅溶膠的粒徑為15 25nm,液體硅酸鉀的模數為2.6 3.1。
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4.根據權利要求1所述的一種四氯化硅反應器內襯層的制備方法,其特征在于,步驟S2中,氫氧化鈉的加入量為累托石質量的20%。
5.根據權利要求1所述的一種四氯化硅反應器內襯層的制備方法,其特征在于,步驟S3中,過篩目數為180 250目。
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6.一種四氯化硅反應器,其特征在于,包含采用權利要求1 5任一項四氯化硅反應器內~襯層的制備方法制備得到的內襯層,所述內襯層位于耐火材料表面,所述耐火材料位于反應器內壁。
說明書: 一種四氯化硅反應器內襯層的制備方法技術領域[0001] 本發明屬于反應器設備技術領域,具體涉及一種四氯化硅反應器內襯層的制備方法。背景技術[0002] 四氯化硅(化學式SiCl4)是一種無色液體,是生產高純硅(工業級、
聲明:
“四氯化硅反應器內襯層的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)