權利要求
1.一種高熵合金粉末,其特征在于,按元素質量百分比計包括:
Ni:50%-55%;Nb:4.75%-5.5%;Mo:2.8%-3.3%;Cr:17%-21%;Al:0.2%-0.8%;Ti:0.65%-1.15%;Co:≤1.00%;B:≤0.006%;Si:≤0.35%;Mn:≤0.35%;Cu:≤0.3%;Mg:≤0.01%;C:≤0.08%;S:≤0.015%;P:≤0.015%;余量為鐵;
所述Ni原料為空心納米Ni粉,所述Cr原料為空心納米Cr粉,所述Nb原料為納米孿晶鈮片。
2.根據權利要求1所述的一種高熵合金粉末,其特征在于,所述空心納米Ni粉采用如下的方法制備得到:
A、將鎳粉作為蒸發源材料,將鎳粉置于PVD設備的蒸發室,將納米氧化鋁粉置于PVD設備的沉積室;
B、將PVD設備抽真空后進行沉積,沉積過程中控制蒸發溫度為1500-1550℃、沉積時間為2-3h,沉積完成后得到納米鎳球/氧化鋁復合物;將納米鎳球/氧化鋁復合物加入氫氧化鈉水溶液中,在50-70℃磁力攪拌處理1-2h后,經抽濾、清洗、干燥得到空心納米Ni粉。
3.根據權利要求2所述的一種高熵合金粉末,其特征在于,步驟A中所述納米氧化鋁粉的純度大于99.9%,所述納米氧化鋁粉的平均粒徑為10-40nm。
4.根據權利要求1所述的一種高熵合金粉末,其特征在于,所述空心納米Cr粉采用如下的方法制備得到:
(1)將鉻粉作為蒸發源材料,將鉻粉置于PVD設備的蒸發室,將納米二氧化硅粉置于PVD設備的沉積室;
(2)將PVD設備抽真空后進行沉積,沉積過程中控制蒸發溫度為1850-1900℃、沉積時間為3-4h,沉積完成后得到納米鉻球/二氧化硅復合物;將納米鉻球/碳化硅復合物加入氫氟酸溶液中,在40-50℃磁力攪拌處理1-2h后,經抽濾、清洗、干燥得到空心納米Cr粉。
5.根據權利要求4所述的一種高熵合金粉末,其特征在于,步驟(1)中所述納米二氧化硅粉的純度大于99.5%,所述納米二氧化硅粉的平均粒徑為10-50nm。
6.根據權利要求1所述的一種高熵合金粉末,其特征在于,所述納米孿晶鈮片采用如下的方法制備得到:
將鈮
聲明:
“高熵合金粉末及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)