權利要求
1.一種采用圖形化金屬襯底的半導體激光芯片，包括芯片襯底(3)以及位于芯片襯底(3)頂部的多個發光單元(4);多個所述發光單元(4)沿芯片襯底(3)長度或寬度方向均勻布設，相互平行設置，且相鄰兩個發光單元(4)之間設置有間隔;所述芯片襯底(3)的下表面設置有焊料層(2)，焊料層(2)的下表面設置有熱沉(1)，所述芯片襯底(3)通過焊料層(2)固定在熱沉(1)的上表面，其特征在于：
所述芯片襯底(3)上設置有多個刻蝕槽，所述刻蝕槽的深度方向沿芯片襯底(3)厚度方向設置，多個刻蝕槽分別位于多個發光單元(4)下側，并與發光單元(4)的位置相對應;
多個所述刻蝕槽內分別設置有與其形狀相適配的沉積金屬層(5)，所述沉積金屬層(5)的底端面與芯片襯底(3)的下表面平齊且與焊料層(2)的上表面接觸;
所述刻蝕槽的深度與芯片襯底(3)的厚度相同，其頂部寬度為發光單元(4)寬度的10%-150%，發光單元(4)的底部對應與芯片襯底(3)、沉積金屬層(5)均相接;
或者，所述刻蝕槽的深度不小于芯片襯底(3)厚度的50%，其頂部寬度為發光單元(4)寬度的10%-150%，且開口朝下設置，發光單元(4)的底部與芯片襯底(3)的頂部相接。
2.根據權利要求1所述的一種采用圖形化金屬襯底的半導體激光芯片，其特征在于：
所述刻蝕槽在垂直于發光單元(4)長度方向的豎直平面內的投影形狀為矩形、等腰梯形或階梯形。
3.根據權利要求2所述的一種采用圖形化金屬襯底的半導體激光芯片，其特征在于：
所述刻蝕槽的深度與芯片襯底(3)的厚度相同，刻蝕槽的頂部寬度大于等于發光單元(4)寬度的10%，小于等于發光單元(4)寬度的50%，一個發光單元(4)的底面設置有多個刻蝕槽，多個刻蝕槽的布設方向與發光單元(4)布設方向相同且多個刻蝕槽相互平行設置，相鄰兩個刻蝕槽的距離為刻蝕槽頂部寬度的50%-100%;
或者，所述刻蝕槽的深度與芯片襯底(3)的厚度相同，刻蝕槽的頂部寬度大于發光單元(4)寬度的50%，小于等于發光單元(4)寬度的150%，一個發光單元(4)的底面設置有一個刻蝕槽。
4.根據權利要求2所述的一種采用圖形化金屬襯底的半導體激光芯片，其特征在
聲明：
“采用圖形化金屬襯底的半導體激光芯片及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：中國科學院西安光學精密機械研究所
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2025年07月09日 ~ 11日 
